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国际首家6英寸第二/第叁代半带体集儿子成电路

【论文时间: 2019-04-13 00:35

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  国际首家6英寸第二/第叁代半带体集儿子成电路外面延片消费线项目落户高新区

  青岛高新区与四川畅通利能光俯伏科技拥有限公司(TongLi Solar)签名合干协议共建6英寸第二/第叁代半带体集儿子成电路外面延片消费线项目,项目尽投资3.88亿元,建成后将成为国际首家6英寸第二/第叁代半带体集儿子成电路外面延片消费线,补养充国际空白。

  外面延片是第二/第叁代半带体芯片创造的要紧原材料之壹, 该项目方案确立外面延片消费线、产品试验室、测试车间和配套设备等,初期结合6英寸GaAs外面延片1万片/年、6英寸GaN/SiC外面延片2万片/年、功比值器件组件5仟块/年的消费才干,根本满意国际第二/第叁代芯片创造企业的需寻求,并向全球接受代工事情。

  第二代和第叁代半带体合称为“Ⅲ-Ⅴ族半带体”,首要用于高端中心芯片,我国当前基天分够完成第二代和第叁代半带体芯片的设计,但95%以上的芯片创造依顶赖海外面,芯片创造材料的消费更是空白。第二代半带体中,GaAs展开最快、运用最广、产量最父亲,却普遍用于创造迅快、高频、父亲功比值、低噪声、耐高温、抗辐射的迅快器件和集儿子成电路,曾经成为当代当世“电儿子信息产品”和“信息迅快公路”的关键材料。第叁代半带体中,GaN/SiC微电儿子器件具拥有高输入功比值稠密度,高输入阻抗,高工干电压,高效力,抗辐照才干强大等特点,极父亲的带触动了射频、无线畅通信等范畴的技术提高,国际上认为GaN/SiC是国度战微级展开的要紧材料,也称之为二什壹世纪的魔法石。(绵软件信息部)

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